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意法半導(dǎo)體推出面向安全系統(tǒng)的快速啟動(dòng)負(fù)載開關(guān)

2022 年 9 月 6 日——意法半導(dǎo)體推出了IPS1025HF快速啟動(dòng)高邊功率開關(guān),目標(biāo)應(yīng)用是要求上電延遲時(shí)間極短的安全系統(tǒng)。

即使考慮到 Vcc 電源通斷情況,IPS1025HF的通斷響應(yīng)時(shí)間仍然小于60μs,確保安全保護(hù)系統(tǒng)達(dá)到指定的安全完整性等級 (SIL)。支持8.65V至 60V寬壓輸入,輸入引腳最高耐受電壓 65V,這款緊湊的器件能夠承受工業(yè)應(yīng)用的惡劣工況。目標(biāo)應(yīng)用包括可編程邏輯控制器 (PLC)、自動(dòng)售貨機(jī)、工廠自動(dòng)化 I/O 外圍設(shè)備和計(jì)算機(jī)數(shù)控 (CNC) 機(jī)床的電源控制。

像意法半導(dǎo)體智能功率開關(guān)系列中類似的單通道和雙通道產(chǎn)品一樣,IPS1025HF也有兩個(gè)可編程限流設(shè)置,允許用戶在功率開關(guān)激活時(shí)設(shè)置一個(gè)高限流值,從而提高負(fù)載驅(qū)動(dòng)的靈活性,例如,燈泡、電機(jī)和電容負(fù)載等應(yīng)用需要很高的初始峰值電流。

輸出級是一個(gè)在環(huán)境溫度下導(dǎo)通電阻Rds(on)典型值12.5mOhm 的N 溝道功率 MOSFET,確保開關(guān)高能效,低熱耗散。MOSFET內(nèi)部將最小輸出電流限定在2.5A,最高單脈沖雪崩能量14J,可以更可靠地處理感性負(fù)載。新產(chǎn)品還在內(nèi)部集成快速退磁有源鉗位電路。

該開關(guān)的安全功能包括欠壓保護(hù)、過壓保護(hù)、過載保護(hù)、短路保護(hù)、接地?cái)嚅_保護(hù)和 Vcc 斷開保護(hù)。片上診斷引腳包括獨(dú)立的輸出過載和結(jié)過熱信號,并且增加一個(gè)熱傳感器檢測封裝溫度是否過高。該器件符合IEC 61000-4-2 ESD、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 的 ESD、快速瞬變和浪涌抗擾度測試規(guī)范。

為了方便開發(fā)者快捷評測器件的性能,X-NUCLEO-OUT15A1擴(kuò)展板集成 IPS1025HF及相關(guān)電路,可以直接插接到STM32 Nucleo 開發(fā)板。開發(fā)套件還包括STSW-OUT15F4演示固件包和STSW-IFAPGUI工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)GUI圖形用戶界面軟件,讓用戶能夠在桌面上實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整的工業(yè)自動(dòng)化環(huán)境。

IPS1025HF現(xiàn)已投產(chǎn),有PowerSSO-24和QFN48L兩種封裝。